Lieu : Palaiseau, France

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays. ​

Nos engagements, vos avantages

• Notre savoir-faire technologique

• Notre attention portée à l’équilibre des collaborateurs

• Un environnement inclusif et bienveillant

• Un engagement sociétal et environnemental reconnu (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG…)

Votre quotidien

Thales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d’accroitre l’avance technologique et d’en assurer la compétitivité pour le groupe.

En nous rejoignant, vous aurez l’opportunité d’évoluer dans un environnement interdisciplinaire riche et stimulant. Vous intégrerez une équipe composée d’une vingtaine de chercheurs et d’une dizaine d’étudiants, menant des activités de modélisation, de conception, de développement technologique et de caractérisation de composants innovants destinés à des applications optiques et radiofréquences. Vous participerez à des travaux de recherche dans le cadre de l’axe « Fonctions RF réintégrées ».

Dans ce contexte, votre objectif sera de développer des couches minces de HfZrO₂ par la technique Atomic Layer Deposition (ALD), puis d’utiliser ces couches pour la fabrication de dispositifs RF spécifiques, afin d’évaluer leurs performances en radiofréquence.

Vous commencerez par une formation aux techniques de micro- et nanofabrication en salle blanche, ainsi qu’à la caractérisation structurale et électrique (MEB, diffraction des rayons X, spectroscopie AES, etc.). Vous réaliserez ensuite la préparation d’échantillons à base de HfZrO₂, via le dépôt de HfO₂/ZrO₂ à l’aide d’un système ALD. Enfin, vous fabriquerez en salle blanche des structures spécifiques, qui feront l’objet de mesures électriques et RF destinées à caractériser leurs performances.

Votre profil

STAGE – Ingénieur en Élaboration de matériaux à base de HfZrO2 par ALD et étude de leurs propriétés radiofréquences (H/F) – 6 mois

Vous avez envie de découvrir le domaine de la recherche ? 

Vous souhaitez réaliser votre stage au sein de Thales ?

• Étudiant en M2, en école d’ingénieurs ou formation équivalente, vous possédez des connaissances en : 

• Physique des solides ; 

• Sciences des matériaux ; 

• Nano- et microélectronique ; 

• Anglais (oral et écrit – niveau B2/C1 attendu) ; 

• Une première expérience au sein d’un laboratoire de recherche et technologie, industriel ou académique, axé sur la science des matériaux, serait appréciée ; 

• Une première expérience en salle blanche serait également un atout.

Rigueur, créativité et curiosité scientifique sont des qualités que l’on vous reconnaît ? 

Alors ce stage est fait pour vous !

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.Thales, entreprise Handi-Engagée, reconnait tous les talents. La diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !