QUI SOMMES-NOUS ?

Situé sur le campus de l’École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d’envergure mondiale de Paris-Saclay, à Palaiseau, Thales Research & Technology (TRT) France constitue le centre de recherche et technologies français du Groupe Thales, au service des activités mondiales de Thales. Grâce à une politique de partenariat proactive avec le monde académique et un réseau international d’entreprises innovantes, le rôle des équipes de Thales Research & Technology est de proposer aux différentes entités opérationnelles du groupe Thales des innovations de rupture qui seront aussi des différenciateurs techniques ; de maintenir et d’accroître l’avance technologique de ces solutions mais aussi d’en assurer la compétitivité. Les activités de TRT France se situent aussi bien dans le domaine Hardware (Electronique, Optronique, Radiofréquences, semi-conducteurs, science des matériaux etc.), qu’en Algorithmie et Software (Intelligence Artificielle, Big Data, Cybersécurité, Aide à la décision, Optimisation etc.) et en Systèmes (conception architecturale, processus et outils). Thales Research & Technology rassemble plus de 250 ingénieurs de recherche, une 30aine de doctorants ainsi que chaque année, plus d’une soixantaine de stagiaires et de nombreux coopérants. Rejoignez l’aventure !

Dans ce cadre nous recherchons un :

Doctorant en modélisation et méthodes de conception hyperfréquence pour packaging avancé (H/F)Basé à Palaiseau (91) – CDD 36 mois

QUI ETES-VOUS ?

• De formation Bac+5 en école d’ingénieur ou formation équivalente, votre formation vous a permis d’acquérir des compétences solides dans le domaine de l’électronique hyperfréquence ?

• De plus vous avez acquis des connaissances solides dans les domaines suivants :

  • Hyperfréquence, paramètre [S]

  • Abaque de Smith

  • Caractérisations hyperfréquences

• Vous êtes de nature curieuse, raison qui vous pousse à continuer en recherche ?

• Vous êtes persévérant et rigoureux dans votre travail ?

• Enfin vous êtes à l’aise en anglais et en français ?

Une connaissance dans les domaines suivants : Electromagnétisme (Outils de simulation / conception : ADS, RFPro/EMPro, HFSS), Connaissances en packaging des circuits hyperfréquences serait un plus significatif.

Vous vous reconnaissez ? Alors découvrez votre futur sujet de thèse !

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

II-V Lab, laboratoire de recherche industriel en technologie et composants semi-conducteur III-V, implanté sur le plateau de Saclay en région parisienne dont le capital est détenu par Nokia, Thales et le CEA LETI, propose une thèse portant sur sur l’étude par simulations électriques, électromagnétiques et thermiques de fonctions hyperfréquences de puissance à fort niveau d’intégration de type SiP (System in Package).

Au sein du III-V Lab, vous intégrez l’équipe du programme GaN RF en charge des caractérisations, modélisations et conceptions des circuits Hyperfréquences. Les deux premières années se dérouleront sur le site de l'université de Limoges, laboratoire XLIM, sur le site de Brive la Gaillarde, la dernière année de la thèse sera effectuée dans les locaux de III-V Lab à Palaiseau.

Une première partie sera consacrée à l’état de l’Art du domaine en particulier les types de circuits hyperfréquences utilisés dans les modules RF de puissance, les types de packaging permettant un fort niveau d’intégration 2D et 3D, les spécificités des fonctions et circuits RF de puissance. La bande de fréquence visera à couvrir l’ensemble du spectre par les composants à base de nitrure de Gallium (GaN) aujourd’hui, c’est à dire depuis les basses fréquences jusqu’à ~100 GHz en recherche et développement.

Dans ce contexte, vos missions seront les suivantes :

• Analyse de la propagation du signal hyperfréquence par simulations électromagnétiques entre plusieurs interfaces :

  • PCB (Printed Circuit Board) vers boitier et niveau de redistribution (RDL)

  • RDL vers circuits intégrés

  • Connexions entre circuits au travers le niveau de redistribution,

• Recherche de transitions hyperfréquences les plus larges bandes possibles entre les différentes interfaces traversées pour le signal.

• Analyse de différentes architectures de report des circuits dans le boitier : circuits intégrés face up, face down, utilisation d’interposeurs...

Il sera nécessaire de définir une méthodologie de simulations et de co-conception entre le circuit MMIC et package qui nécessitent des outils de conception différents (simulateurs de type circuit hyperfréquence et simulateurs électromagnétiques). Des mesures hyperfréquences sur les éléments de tests simple pourront servir à valider les simulations effectuées. Pour une analyse comparative des différentes architectures de report, un cas typique devra probablement être défini. Compte tenu que l’étude portera sur des circuits de puissance RF, le recours à des analyses thermiques pourra être nécessaire. La thèse possède donc un caractère multi-physique nécessitant de développer des compétences en caractérisations et simulations de circuits hyperfréquences, simulations électromagnétiques et simulations thermiques.

Thales s’engage pour l’emploi et l’insertion des personnes en situation de handicap. A ce titre, notre établissement Thales Research&Technology France est reconnu Organisme Handi-Accueillant

Innovation, passion, ambition : rejoignez Thales et créez le monde de demain, dès aujourd’hui.