Lieu : Palaiseau, France

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays. ​

Nos engagements, vos avantages

• Notre savoir-faire technologique

• Notre attention portée à l’équilibre des collaborateurs

• Un environnement inclusif et bienveillant

• Un engagement sociétal et environnemental reconnu (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG…)

Votre quotidien

Thales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d’accroitre l’avance technologique et d’en assurer la compétitivité pour le groupe.

III-V Lab, laboratoire de recherche industriel en technologie et composants semi-conducteur III-V, vous propose un stage portant sur la conception d’amplificateur de puissance en technologie GaN.

Le développement de la technologie de transistor à base de nitrure de gallium (GaN) a fortement révolutionné ces dernières années le marché des composants semi-conducteurs III-V. Les HEMT à base du GaN ont démontré leur potentialité pour les applications fortes puissances. La recherche de l’efficacité maximale est aujourd’hui au cœur des préoccupations pour diminuer la dissipation et réduire les couts des systèmes.

En nous rejoignant, vous intégrerez l’équipe du programme GaN RF en charge des caractérisations, modélisations et conceptions des circuits hyperfréquences. En utilisant les modèles de transistors disponibles, vous allez étudier les architectures de circuits permettant de maximiser l’efficacité énergétique comme les architectures Doherty et/ou LMBA.

Dans ce contexte, vous aurez pour missions : 

• Etude bibliographique sur les architectures d’amplificateur de puissance

• Prendre en main le logiciel de simulation et de modélisation ADS Pathwave de Keysight.

• Analyse du fonctionnement des transistors GaN à partir du modèle non linéaire

• Conception d’un amplificateur de puissance en architecture Doherty et /ou LMBA à 30 GHz.

Votre profil

STAGE – Ingénieur d'étude en architectures d’amplificateurs de puissance RF en technologie GaN optimisés en rendement (H/F) – 6 mois

Vous avez envie de découvrir le domaine de la recherche ?

Vous avez pour ambition de réaliser votre stage au sein de Thales ?

Etudiant en M2, en Ecole d’ingénieur ou formation équivalente, vous avez des connaissances en :

• Conception et simulation (Outils ADS de Keysight) ;

• Electronique ;

• Fonctionnement des transistors ;

• Notions d’hyperfréquences et paramètres [S] ;

• Anglais (oral et écrit – B2/C1 attendu).

Rigueur, créativité et curiosité scientifique sont des atouts que l'on vous reconnait ?

Alors ce stage est fait pour vous !

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.Thales, entreprise Handi-Engagée, reconnait tous les talents. La diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !