Lieu : Palaiseau, France

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 81 000 collaborateurs dans 68 pays. ​

Nos engagements, vos avantages

• Notre savoir-faire technologique

• Notre attention portée à l’équilibre des collaborateurs

• Un environnement inclusif et bienveillant

• Un engagement sociétal et environnemental reconnu (Thales Solidarity, indice CAC 40 ESG…)

Votre quotidien

Thales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d’accroitre l’avance technologique et d’en assurer la compétitivité pour le groupe.

Vous participerez à un projet innovant sur les matériaux 2D, plus particulièrement sur les dichalcogénures de métaux de transition (DMT). Ces matériaux, qui peuvent être combinés pour former des hétérostructures de van der Waals, offrent une flexibilité exceptionnelle pour concevoir de nouveaux matériaux aux propriétés ajustables, un vrai atout pour l’électronique et l’optoélectronique.

Votre mission principale consistera à développer la croissance monocristalline de ces DMT (PtSe2, PtTe2, WSe2) par épitaxie par jets moléculaires (MBE) sur substrats de saphir, pour concevoir une nouvelle génération de photodétecteurs rapides dans le moyen infrarouge (3-5 µm). Pour cela, vous vous appuierez sur des laboratoires spécialisés associant expertise en synthèse, caractérisation et conception de dispositifs avancés.

Les missions incluent :

• La synthèse et caractérisation (Atomic Force Microscopy) par des surfaces vicinales de saphi ;

• L’optimisation des paramètres de croissance MBE des DMT ;

• L’optimisation d’hétérostructures de matériaux 2D comme PtTe2/PtSe2/PtTe2 ;

• La caractérisation in-situ des couches synthétisées par RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) et LEED (Low Energy Electrons Diffraction) ;

• La caractérisation ex-situ des couches par microscopie électronique à balayage, AFM, spectroscopie Raman, mesures de type van de Pauw (conductivité, mobilité) ;

• La participation aux études complémentaires par diffraction des rayons X et microscopie électronique à transmission ;

• L’implication dans les études sur les photodétecteurs à base d’hétérostructures 2D.

Votre profil

STAGE – Ingénieur Croissance d'hétérostructures de matériaux 2D par épitaxie par jets moléculaires (H/F) – 6 mois

Vous avez envie de découvrir le domaine de la recherche ?

Vous avez pour ambition de réaliser votre stage au sein de Thales ?

Etudiant en M2, en Ecole d’ingénieur ou formation équivalente, vous avez des connaissances en :

• Nanomatériaux (synthèse et caractérisation),

• Méthodes de caractérisation,

• Physique des semiconducteurs

• Anglais (oral et écrit – B2/C1 attendu).

Rigueur, créativité, curiosité et esprit de synthèse sont des atouts que l'on vous reconnait ?

Alors ce stage est fait pour vous !

Tous nos stages sont conventionnés et soumis à une gratification dont le montant est déterminé selon votre niveau d’études.Thales, entreprise Handi-Engagée, reconnait tous les talents. La diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !