QUI SOMMES-NOUS ?
Situé sur le campus de l’École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d’envergure mondiale de Paris-Saclay, à Palaiseau, Thales Research & Technology (TRT) France constitue le centre de recherche et technologies français du Groupe Thales, au service des activités mondiales de Thales. Grâce à une politique de partenariat proactive avec le monde académique et un réseau international d’entreprises innovantes, le rôle des équipes de Thales Research & Technology est de proposer aux différentes entités opérationnelles du groupe Thales des innovations de rupture qui seront aussi des différenciateurs techniques ; de maintenir et d’accroître l’avance technologique de ces solutions mais aussi d’en assurer la compétitivité. Les activités de TRT France se situent aussi bien dans le domaine Hardware (Electronique, Optronique, Radiofréquences, semi-conducteurs, science des matériaux etc.), qu’en Algorithmie et Software (Intelligence Artificielle, Big Data, Cybersécurité, Aide à la décision, Optimisation etc.) et en Systèmes (conception architecturale, processus et outils). Thales Research & Technology rassemble plus de 250 ingénieurs de recherche, une 30aine de doctorants ainsi que chaque année, plus d’une soixantaine de stagiaires et de nombreux coopérants. Rejoignez l’aventure !
Dans ce cadre nous recherchons une :
ALTERNANCE – Ingénieur Technologie de fabrication de Transistors en Semi-conducteurs (F/H) à partir de septembre 2024Basé à Palaiseau (91)
QUI ETES-VOUS ?
Vous vous reconnaissez ? Alors découvrez vos futures missions ! J
CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :
LE GIE III-V Lab est une société conjointe (Groupement d'Intérêt Economique) entre Thales, Nokia et le CEA Leti, avec une implantation à Palaiseau. Le GIE compte environ 120 personnes. La plateforme technologique de Palaiseau inclut des équipes spécialisées dans les procédés de fabrication de semiconducteurs III-V tels que le Phosphure d'Indium (InP), l'Arséniure de Gallium (GaAs) et le Nitrure de Gallium (GaN). Ce dernier matériau présente des propriétés de tenue à la température et au champ électrique élevées, qui en fait une solution de choix pour l'électronique de puissance, notamment dans le domaine des télécommunications sans fil et de la détection radar. L'équipe technologie Nitrures de Gallium développe des composants HEMT (High Electron Mobility Transistors) dotés de caractéristiques innovantes, telles que des résistances d'accès ultra-faibles ou bien une gestion thermique par dissipateur diamant intégré.
Dans ce contexte vos missions principales seront les suivantes :
Thales s’engage pour l’emploi et l’insertion des personnes en situation de handicap. A ce titre, notre établissement Thales Research&Technology France est reconnu Organisme Handi-Accueillant
Innovation, passion, ambition : rejoignez Thales et créez le monde de demain, dès aujourd’hui.
Ces entreprises recrutent aussi au poste de “Recherche industrielle”.